Справочник транзисторов. BD636

 

Биполярный транзистор BD636 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD636
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 185 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BD636

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD636 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  inchange semiconductor
 bd636.pdf pdf_icon

BD636

isc Silicon PNP Power Transistor BD636DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = -25mAFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min.)(BR)CEOComplement to Type BD635Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for amplifier and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

Другие транзисторы... BD616 , BD617 , BD618 , BD619 , BD620 , BD633 , BD634 , BD635 , 2SD882 , BD637 , BD638 , BD643 , BD643F , BD644 , BD644F , BD645 , BD645F .

History: BC640TA | KTC3600U | BUD636ASMD | KTA1385D | 2SC2258BY | OC820

 

 
Back to Top

 


 
.