BD636 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BD636 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BD636
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 185 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD636

 

BD636 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  inchange semiconductor
 bd636.pdf pdf_icon

BD636

isc Silicon PNP Power Transistor BD636 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = -25mA FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min.) (BR)CEO Complement to Type BD635 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

Другие транзисторы... BD616 , BD617 , BD618 , BD619 , BD620 , BD633 , BD634 , BD635 , B647 , BD637 , BD638 , BD643 , BD643F , BD644 , BD644F , BD645 , BD645F .

 

 
Back to Top

 


 
.