BD702 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD702

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 750

Encapsulados: TO126

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BD702 datasheet

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BD702

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD702 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = CEO(SUS) -100V(Min.) DC Current Gain h = 750(Min) @ I = -3A FE C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for output devices in complementary general-

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