BD702. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD702

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD702

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD702 даташит

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
 bd702.pdf pdf_icon

BD702

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD702 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = CEO(SUS) -100V(Min.) DC Current Gain h = 750(Min) @ I = -3A FE C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for output devices in complementary general-

Другие транзисторы: BD697A, BD698, BD698A, BD699, BD699A, BD700, BD700A, BD701, 2SB817, BD705, BD706, BD707, BD708, BD709, BD710, BD711, BD712