BD706 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD706

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 55 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO66

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BD706 datasheet

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BD706

isc Silicon PNP Power Transistor BD706 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = -0.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -45V(Min.) CEO(SUS) Complement to Type BD705 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

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