BD706. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD706

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для BD706

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD706 даташит

 ..1. Size:193K  inchange semiconductor
 bd706.pdf pdf_icon

BD706

isc Silicon PNP Power Transistor BD706 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = -0.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -45V(Min.) CEO(SUS) Complement to Type BD705 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие транзисторы: BD698A, BD699, BD699A, BD700, BD700A, BD701, BD702, BD705, 2SC2655, BD707, BD708, BD709, BD710, BD711, BD712, BD719, BD720