BD725 Todos los transistores

 

BD725 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD725
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BD725 datasheet

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 bd719 bd721 bd723 bd725.pdf pdf_icon

BD725

isc Silicon NPN Power Transistor BD719/721/723/725 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 20(Min)@ I = 2A FE C Complement to Type BD720/722/724/726 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output and general purpose amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE ... See More ⇒

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
 bd725.pdf pdf_icon

BD725

isc Silicon NPN Power Transistor BD725 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40@ I = 0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage - V = 120V(Min) (BR)CEO Complement to type BD726 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output and general purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI... See More ⇒

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