BD725 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD725
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BD725
BD725 Datasheet (PDF)
bd719 bd721 bd723 bd725.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD719/721/723/725DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 20(Min)@ I = 2AFE CComplement to Type BD720/722/724/726Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output and general purposeamplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
bd725.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD725DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage -: V = 120V(Min)(BR)CEOComplement to type BD726Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output and general purposeamplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI
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