BD725 Todos los transistores

 

BD725 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD725
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BD725 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  inchange semiconductor
 bd719 bd721 bd723 bd725.pdf pdf_icon

BD725

isc Silicon NPN Power Transistor BD719/721/723/725DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 20(Min)@ I = 2AFE CComplement to Type BD720/722/724/726Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output and general purposeamplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
 bd725.pdf pdf_icon

BD725

isc Silicon NPN Power Transistor BD725DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage -: V = 120V(Min)(BR)CEOComplement to type BD726Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output and general purposeamplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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History: 2SA259 | LMBTA92LT3G | 2SA215 | 2N1526-33 | KT505A | UN2215Q | 2N5580

 

 
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