BD725. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD725

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD725

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD725 даташит

 ..1. Size:190K  inchange semiconductor
 bd719 bd721 bd723 bd725.pdf pdf_icon

BD725

isc Silicon NPN Power Transistor BD719/721/723/725 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 20(Min)@ I = 2A FE C Complement to Type BD720/722/724/726 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output and general purpose amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
 bd725.pdf pdf_icon

BD725

isc Silicon NPN Power Transistor BD725 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40@ I = 0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage - V = 120V(Min) (BR)CEO Complement to type BD726 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output and general purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие транзисторы: BD711, BD712, BD719, BD720, BD721, BD722, BD723, BD724, 2SA1015, BD726, BD733, BD734, BD735, BD736, BD737, BD738, BD743