BD735 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD735

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 32 V

Tensión colector-emisor (Vce): 32 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO220

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BD735 datasheet

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BD735

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD735 DESCRIPTION DC Current Gain - hFE = 40(Min.)@ IC= 20mA Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 35V(Min.) Complement to Type BD736 APPLICATIONS Designed for amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Coll

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