BD735. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD735

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD735

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD735 даташит

 ..1. Size:255K  inchange semiconductor
 bd735.pdf pdf_icon

BD735

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD735 DESCRIPTION DC Current Gain - hFE = 40(Min.)@ IC= 20mA Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 35V(Min.) Complement to Type BD736 APPLICATIONS Designed for amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Coll

Другие транзисторы: BD721, BD722, BD723, BD724, BD725, BD726, BD733, BD734, 2SC2383, BD736, BD737, BD738, BD743, BD743A, BD743B, BD743C, BD743D