BD738 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD738

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO220

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BD738 datasheet

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BD738

isc Silicon PNP Power Transistor BD738 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = -20mA FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min.) (BR)CEO Complement to Type BD737 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

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