BD738. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD738

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD738

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD738 даташит

 ..1. Size:210K  inchange semiconductor
 bd738.pdf pdf_icon

BD738

isc Silicon PNP Power Transistor BD738 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = -20mA FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min.) (BR)CEO Complement to Type BD737 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

Другие транзисторы: BD724, BD725, BD726, BD733, BD734, BD735, BD736, BD737, 2N2907, BD743, BD743A, BD743B, BD743C, BD743D, BD743E, BD743F, BD744