BD778 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD778
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 750
Encapsulados: TO126
Búsqueda de reemplazo de BD778
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BD778 datasheet
bd776 bd777 bd778 bd780.pdf
Order this document MOTOROLA by BD777/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BD777 Plastic Darlington PNP BD776 Complementary Silicon Power Transistors BD778 . . . designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. High DC Current Gain BD780* hFE = 1400 (Typ) @ IC = 2.0 Adc Collector Emitter Sustaining Voltage @ 10 mAdc *Motorola Preferred
Otros transistores... BD750C, BD751, BD751A, BD751B, BD751C, BD775, BD776, BD777, TIP42C, BD779, BD780, BD785, BD786, BD787, BD788, BD789, BD790
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388

