BD778. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD778

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD778

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD778 даташит

 ..1. Size:117K  motorola
 bd776 bd777 bd778 bd780.pdf pdf_icon

BD778

Order this document MOTOROLA by BD777/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BD777 Plastic Darlington PNP BD776 Complementary Silicon Power Transistors BD778 . . . designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. High DC Current Gain BD780* hFE = 1400 (Typ) @ IC = 2.0 Adc Collector Emitter Sustaining Voltage @ 10 mAdc *Motorola Preferred

Другие транзисторы: BD750C, BD751, BD751A, BD751B, BD751C, BD775, BD776, BD777, TIP42C, BD779, BD780, BD785, BD786, BD787, BD788, BD789, BD790