BD791 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD791

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: SOT23

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BD791 datasheet

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BD791

Order this document MOTOROLA by BD789/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BD789 Complementary Plastic Silicon * BD791 Power Transistors PNP . . . designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching BD790 applications. High Collector Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) BD789, BD790 BD792* VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) BD791

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BD791

isc Silicon NPN Power Transistor BD791 DESCRIPTION High Collector Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc hFE = 40 250 Low Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 0.5 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed fo

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