Биполярный транзистор BD791 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD791
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT23
BD791 Datasheet (PDF)
bd789 bd790 bd791 bd792.pdf
Order this documentMOTOROLAby BD789/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNBD789Complementary Plastic Silicon*BD791Power TransistorsPNP. . . designed for low power audio amplifier and lowcurrent, high speed switchingBD790applications. High CollectorEmitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) BD789, BD790BD792*VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) BD791
bd791.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD791DESCRIPTIONHigh CollectorEmitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) High DC Current Gain @ IC = 200 mAdchFE = 40250 Low CollectorEmitter Saturation Voltage VCE(sat) = 0.5 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdcMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned fo
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SD1346
History: 2SD1346
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050