BD791. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD791

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BD791

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD791 даташит

 ..1. Size:176K  motorola
 bd789 bd790 bd791 bd792.pdf pdf_icon

BD791

Order this document MOTOROLA by BD789/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BD789 Complementary Plastic Silicon * BD791 Power Transistors PNP . . . designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching BD790 applications. High Collector Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) BD789, BD790 BD792* VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) BD791

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
 bd791.pdf pdf_icon

BD791

isc Silicon NPN Power Transistor BD791 DESCRIPTION High Collector Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc hFE = 40 250 Low Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 0.5 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed fo

Другие транзисторы: BD779, BD780, BD785, BD786, BD787, BD788, BD789, BD790, 2SC2073, BD792, BD795, BD796, BD797, BD798, BD799, BD800, BD801