BD798 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD798

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO220

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BD798 datasheet

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BD798

isc Silicon PNP Power Transistor BD798 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) Low Saturation Voltage Complement to Type BD797 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for a wide variety of medium-power switching and amplifier applications , such as series and shunt regulators

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