BD798 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD798
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO220
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BD798 Datasheet (PDF)
bd798.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor BD798DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Low Saturation VoltageComplement to Type BD797Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for a wide variety of medium-power switching andamplifier applications , such as series and shunt regulators
Otros transistores... BD788 , BD789 , BD790 , BD791 , BD792 , BD795 , BD796 , BD797 , MJE340 , BD799 , BD800 , BD801 , BD802 , BD805 , BD806 , BD807 , BD808 .
History: TN4143 | 2SB279 | SD4261
History: TN4143 | 2SB279 | SD4261



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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