BD798. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD798

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD798

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD798 даташит

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
 bd798.pdf pdf_icon

BD798

isc Silicon PNP Power Transistor BD798 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) Low Saturation Voltage Complement to Type BD797 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for a wide variety of medium-power switching and amplifier applications , such as series and shunt regulators

Другие транзисторы: BD788, BD789, BD790, BD791, BD792, BD795, BD796, BD797, 2SC4793, BD799, BD800, BD801, BD802, BD805, BD806, BD807, BD808