BD799 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD799

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO220

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BD799 datasheet

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BD799

isc Silicon NPN Power Transistor BD799 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 80V(Min) CEO(SUS) Low Saturation Voltage Complement to Type BD800 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for a wide variety of medium-power switching and amplifier applications , such as series and shunt regulators

Otros transistores... BD789, BD790, BD791, BD792, BD795, BD796, BD797, BD798, MJE340, BD800, BD801, BD802, BD805, BD806, BD807, BD808, BD809