BD799 Todos los transistores

 

BD799 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD799
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BD799 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
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BD799

isc Silicon NPN Power Transistor BD799DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 80V(Min)CEO(SUS)Low Saturation VoltageComplement to Type BD800Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for a wide variety of medium-power switching andamplifier applications , such as series and shunt regulators

Otros transistores... BD789 , BD790 , BD791 , BD792 , BD795 , BD796 , BD797 , BD798 , 2SA1837 , BD800 , BD801 , BD802 , BD805 , BD806 , BD807 , BD808 , BD809 .

History: NR421HF | BLY67A | 2SD123 | 3DD13007MD-C

 

 
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