BD799. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD799

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD799

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD799 даташит

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 bd799.pdf pdf_icon

BD799

isc Silicon NPN Power Transistor BD799 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 80V(Min) CEO(SUS) Low Saturation Voltage Complement to Type BD800 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for a wide variety of medium-power switching and amplifier applications , such as series and shunt regulators

Другие транзисторы: BD789, BD790, BD791, BD792, BD795, BD796, BD797, BD798, MJE340, BD800, BD801, BD802, BD805, BD806, BD807, BD808, BD809