BD801 Todos los transistores

 

BD801 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD801
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BD801 Datasheet (PDF)

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BD801

isc Silicon NPN Power Transistor BD801DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Low Saturation VoltageComplement to Type BD802Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for a wide variety of medium-power switching andamplifier applications , such as series and shunt regulators

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BD801

Order this documentMOTOROLAby BD801/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD801Plastic High Power Silicon NPN8 AMPERETransistorPOWER TRANSISTORSNPN SILICON. . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi100 VOLTScomplementary circuits.65 WATTS DC Current Gain hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc

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