BD801 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD801

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de BD801

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BD801 datasheet

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 bd801.pdf pdf_icon

BD801

isc Silicon NPN Power Transistor BD801 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min) CEO(SUS) Low Saturation Voltage Complement to Type BD802 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for a wide variety of medium-power switching and amplifier applications , such as series and shunt regulators

 0.1. Size:93K  motorola
 bd801rev.pdf pdf_icon

BD801

Order this document MOTOROLA by BD801/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BD801 Plastic High Power Silicon NPN 8 AMPERE Transistor POWER TRANSISTORS NPN SILICON . . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi 100 VOLTS complementary circuits. 65 WATTS DC Current Gain hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc

Otros transistores... BD791, BD792, BD795, BD796, BD797, BD798, BD799, BD800, BD335, BD802, BD805, BD806, BD807, BD808, BD809, BD810, BD813