BD801. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD801

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD801

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD801 даташит

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 bd801.pdf pdf_icon

BD801

isc Silicon NPN Power Transistor BD801 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min) CEO(SUS) Low Saturation Voltage Complement to Type BD802 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for a wide variety of medium-power switching and amplifier applications , such as series and shunt regulators

 0.1. Size:93K  motorola
 bd801rev.pdf pdf_icon

BD801

Order this document MOTOROLA by BD801/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BD801 Plastic High Power Silicon NPN 8 AMPERE Transistor POWER TRANSISTORS NPN SILICON . . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi 100 VOLTS complementary circuits. 65 WATTS DC Current Gain hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc

Другие транзисторы: BD791, BD792, BD795, BD796, BD797, BD798, BD799, BD800, BD335, BD802, BD805, BD806, BD807, BD808, BD809, BD810, BD813