Справочник транзисторов. BD801

 

Биполярный транзистор BD801 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD801
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 bd801.pdf pdf_icon

BD801

isc Silicon NPN Power Transistor BD801DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Low Saturation VoltageComplement to Type BD802Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for a wide variety of medium-power switching andamplifier applications , such as series and shunt regulators

 0.1. Size:93K  motorola
 bd801rev.pdf pdf_icon

BD801

Order this documentMOTOROLAby BD801/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD801Plastic High Power Silicon NPN8 AMPERETransistorPOWER TRANSISTORSNPN SILICON. . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi100 VOLTScomplementary circuits.65 WATTS DC Current Gain hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc

Другие транзисторы... BD791 , BD792 , BD795 , BD796 , BD797 , BD798 , BD799 , BD800 , 2SD2499 , BD802 , BD805 , BD806 , BD807 , BD808 , BD809 , BD810 , BD813 .

History: BCAP08C | BCF29 | TP9012NND03 | BD695A | BD825-6 | BCP69-16 | BCP56-10T1G

 

 
Back to Top

 


 
.