BD802 Todos los transistores

 

BD802 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD802
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO220

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BD802 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor
 bd802.pdf

BD802 BD802

isc Silicon PNP Power Transistor BD802DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)CEO(SUS)Low Saturation VoltageComplement to Type BD801Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for a wide variety of medium-power switching andamplifier applications , such as series and shunt regulator

 0.1. Size:94K  motorola
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BD802 BD802

Order this documentMOTOROLAby BD802/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD802Plastic High Power Silicon8 AMPEREPNP TransistorPOWER TRANSISTORSPNP SILICON. . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi100 VOLTScomplementary circuits.65 WATTS DC Current Gain hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc

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History: 2SA829 | 2N5304 | 2SA893D | 2SA878

 

 
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