BD802 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD802

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO220

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BD802 datasheet

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BD802

isc Silicon PNP Power Transistor BD802 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -100V(Min) CEO(SUS) Low Saturation Voltage Complement to Type BD801 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for a wide variety of medium-power switching and amplifier applications , such as series and shunt regulator

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BD802

Order this document MOTOROLA by BD802/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BD802 Plastic High Power Silicon 8 AMPERE PNP Transistor POWER TRANSISTORS PNP SILICON . . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi 100 VOLTS complementary circuits. 65 WATTS DC Current Gain hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc

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