BD802. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD802

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD802

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD802 даташит

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor
 bd802.pdf pdf_icon

BD802

isc Silicon PNP Power Transistor BD802 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -100V(Min) CEO(SUS) Low Saturation Voltage Complement to Type BD801 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for a wide variety of medium-power switching and amplifier applications , such as series and shunt regulator

 0.1. Size:94K  motorola
 bd802rev.pdf pdf_icon

BD802

Order this document MOTOROLA by BD802/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BD802 Plastic High Power Silicon 8 AMPERE PNP Transistor POWER TRANSISTORS PNP SILICON . . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi 100 VOLTS complementary circuits. 65 WATTS DC Current Gain hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc

Другие транзисторы: BD792, BD795, BD796, BD797, BD798, BD799, BD800, BD801, A940, BD805, BD806, BD807, BD808, BD809, BD810, BD813, BD813A