BD807 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD807

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1.5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO220

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BD807 datasheet

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BD807

isc Silicon NPN Power Transistor BD807 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 30(Min.)@ I = 2A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) Complement to Type BD808 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary

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