BD807 Todos los transistores

 

BD807 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD807
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BD807 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  inchange semiconductor
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BD807

isc Silicon NPN Power Transistor BD807DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 30(Min.)@ I = 2AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Complement to Type BD808Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power audio amplifiers utilizingcomplementary or quasi complementary

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History: 2SC3255S | 2N5796

 

 
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