BD807. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD807

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD807

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD807 даташит

 ..1. Size:210K  inchange semiconductor
 bd807.pdf pdf_icon

BD807

isc Silicon NPN Power Transistor BD807 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 30(Min.)@ I = 2A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) Complement to Type BD808 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary

Другие транзисторы: BD797, BD798, BD799, BD800, BD801, BD802, BD805, BD806, BC546, BD808, BD809, BD810, BD813, BD813A, BD814, BD814A, BD815