Справочник транзисторов. BD807

 

Биполярный транзистор BD807 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD807
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BD807

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD807 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  inchange semiconductor
 bd807.pdf pdf_icon

BD807

isc Silicon NPN Power Transistor BD807DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 30(Min.)@ I = 2AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Complement to Type BD808Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power audio amplifiers utilizingcomplementary or quasi complementary

Другие транзисторы... BD797 , BD798 , BD799 , BD800 , BD801 , BD802 , BD805 , BD806 , 8050 , BD808 , BD809 , BD810 , BD813 , BD813A , BD814 , BD814A , BD815 .

History: 2N5796

 

 
Back to Top

 


 
.