BD808 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD808

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1.5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO220

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BD808 datasheet

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BD808

Order this document MOTOROLA by BD808/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BD808 BD810* Plastic High Power Silicon *Motorola Preferred Device PNP Transistor 10 AMPERE . . . designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi POWER TRANSISTORS complementary circuits. PNP SILICON DC Current Gain hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc

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BD808

isc Silicon PNP Power Transistor BD808 DESCRIPTION DC Current Gain - h =30@ I = -2A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) Complement to Type BD807 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circ

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