BD808 Todos los transistores

 

BD808 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD808
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO220
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BD808 Datasheet (PDF)

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BD808

Order this documentMOTOROLAby BD808/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD808BD810*Plastic High Power Silicon*Motorola Preferred DevicePNP Transistor10 AMPERE. . . designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasiPOWER TRANSISTORScomplementary circuits.PNP SILICON DC Current Gain hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc

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BD808

isc Silicon PNP Power Transistor BD808DESCRIPTIONDC Current Gain -: h =30@ I = -2AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Complement to Type BD807Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power audio amplifiers utilizingcomplementary or quasi complementary circ

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