Биполярный транзистор BD808 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD808
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO220
BD808 Datasheet (PDF)
bd808 bd810.pdf
Order this documentMOTOROLAby BD808/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD808BD810*Plastic High Power Silicon*Motorola Preferred DevicePNP Transistor10 AMPERE. . . designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasiPOWER TRANSISTORScomplementary circuits.PNP SILICON DC Current Gain hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc
bd808.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BD808DESCRIPTIONDC Current Gain -: h =30@ I = -2AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Complement to Type BD807Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power audio amplifiers utilizingcomplementary or quasi complementary circ
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050