BD808. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD808

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD808

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD808 даташит

 ..1. Size:104K  motorola
 bd808 bd810.pdf pdf_icon

BD808

Order this document MOTOROLA by BD808/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BD808 BD810* Plastic High Power Silicon *Motorola Preferred Device PNP Transistor 10 AMPERE . . . designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi POWER TRANSISTORS complementary circuits. PNP SILICON DC Current Gain hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
 bd808.pdf pdf_icon

BD808

isc Silicon PNP Power Transistor BD808 DESCRIPTION DC Current Gain - h =30@ I = -2A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) Complement to Type BD807 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circ

Другие транзисторы: BD798, BD799, BD800, BD801, BD802, BD805, BD806, BD807, TIP35C, BD809, BD810, BD813, BD813A, BD814, BD814A, BD815, BD815A