Справочник транзисторов. BD808

 

Биполярный транзистор BD808 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD808
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD808 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  motorola
 bd808 bd810.pdf pdf_icon

BD808

Order this documentMOTOROLAby BD808/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD808BD810*Plastic High Power Silicon*Motorola Preferred DevicePNP Transistor10 AMPERE. . . designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasiPOWER TRANSISTORScomplementary circuits.PNP SILICON DC Current Gain hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
 bd808.pdf pdf_icon

BD808

isc Silicon PNP Power Transistor BD808DESCRIPTIONDC Current Gain -: h =30@ I = -2AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Complement to Type BD807Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power audio amplifiers utilizingcomplementary or quasi complementary circ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: TP2221AR | CS9013G | CHDTC115GUGP | MJE13003DK5 | 2SA1198S | MJE13003M5 | KSE13003T

 

 
Back to Top

 


 
.