BD809 Todos los transistores

 

BD809 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD809
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

BD809 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  onsemi
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BD809

BD809 (NPN),BD810 (PNP)Plastic High PowerSilicon TransistorsThese devices are designed for use in high power audio amplifiersutilizing complementary or quasi complementary circuits. www.onsemi.comFeatures10 AMPERE High DC Current GainPOWER TRANSISTORS These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*80 VOLTS90 WATTSMAXIMUM RATINGSPNP NPNRating Symbol Value Un

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
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BD809

isc Silicon NPN Power Transistor BD809DESCRIPTIONDC Current Gain -: h =30@ I = 2AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 80V(Min)CEO(SUS)Complement to Type BD810Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power audio amplifiers utilizingcomplementary or quasi complementary circui

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PBSS5240X | 2N5034 | BDS20SM | BC524B | 2SC5227A | NKT228

 

 
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