BD809 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD809

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1.5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO220

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BD809 datasheet

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BD809

BD809 (NPN), BD810 (PNP) Plastic High Power Silicon Transistors These devices are designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. www.onsemi.com Features 10 AMPERE High DC Current Gain POWER TRANSISTORS These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant* 80 VOLTS 90 WATTS MAXIMUM RATINGS PNP NPN Rating Symbol Value Un

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BD809

isc Silicon NPN Power Transistor BD809 DESCRIPTION DC Current Gain - h =30@ I = 2A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 80V(Min) CEO(SUS) Complement to Type BD810 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circui

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