Биполярный транзистор BD809 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD809
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO220
BD809 Datasheet (PDF)
bd809 bd810.pdf
BD809 (NPN),BD810 (PNP)Plastic High PowerSilicon TransistorsThese devices are designed for use in high power audio amplifiersutilizing complementary or quasi complementary circuits. www.onsemi.comFeatures10 AMPERE High DC Current GainPOWER TRANSISTORS These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*80 VOLTS90 WATTSMAXIMUM RATINGSPNP NPNRating Symbol Value Un
bd809.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD809DESCRIPTIONDC Current Gain -: h =30@ I = 2AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 80V(Min)CEO(SUS)Complement to Type BD810Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power audio amplifiers utilizingcomplementary or quasi complementary circui
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N1923
History: 2N1923
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050