Справочник транзисторов. BD809

 

Биполярный транзистор BD809 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD809
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD809 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  onsemi
 bd809 bd810.pdf pdf_icon

BD809

BD809 (NPN),BD810 (PNP)Plastic High PowerSilicon TransistorsThese devices are designed for use in high power audio amplifiersutilizing complementary or quasi complementary circuits. www.onsemi.comFeatures10 AMPERE High DC Current GainPOWER TRANSISTORS These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*80 VOLTS90 WATTSMAXIMUM RATINGSPNP NPNRating Symbol Value Un

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
 bd809.pdf pdf_icon

BD809

isc Silicon NPN Power Transistor BD809DESCRIPTIONDC Current Gain -: h =30@ I = 2AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 80V(Min)CEO(SUS)Complement to Type BD810Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high power audio amplifiers utilizingcomplementary or quasi complementary circui

Другие транзисторы... BD799 , BD800 , BD801 , BD802 , BD805 , BD806 , BD807 , BD808 , 9014 , BD810 , BD813 , BD813A , BD814 , BD814A , BD815 , BD815A , BD816 .

History: BCP5316 | BD695A | BCF29 | BCP69-16 | BD825-6 | BCP56-10T1G | TP9012NND03

 

 
Back to Top

 


 
.