BD809. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD809

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD809

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD809 даташит

 ..1. Size:224K  onsemi
 bd809 bd810.pdf pdf_icon

BD809

BD809 (NPN), BD810 (PNP) Plastic High Power Silicon Transistors These devices are designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. www.onsemi.com Features 10 AMPERE High DC Current Gain POWER TRANSISTORS These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant* 80 VOLTS 90 WATTS MAXIMUM RATINGS PNP NPN Rating Symbol Value Un

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
 bd809.pdf pdf_icon

BD809

isc Silicon NPN Power Transistor BD809 DESCRIPTION DC Current Gain - h =30@ I = 2A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 80V(Min) CEO(SUS) Complement to Type BD810 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circui

Другие транзисторы: BD799, BD800, BD801, BD802, BD805, BD806, BD807, BD808, BD135, BD810, BD813, BD813A, BD814, BD814A, BD815, BD815A, BD816