BD827 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD827

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO202

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BD827 datasheet

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BD827

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD827 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD828 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

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