BD827. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD827

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD827

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD827 даташит

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor
 bd827.pdf pdf_icon

BD827

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD827 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD828 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

Другие транзисторы: BD825B, BD826, BD826-10, BD826-16, BD826-25, BD826-6, BD826A, BD826B, BC549, BD827-10, BD827-16, BD827-25, BD827-6, BD827A, BD827B, BD828, BD828-10