BD828-10 Todos los transistores

 

BD828-10 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD828-10
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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BD828-10 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
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BD828-10

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD828DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD827Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

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History: 2SC2344E | KT818B | 2N5422

 

 
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