Справочник транзисторов. BD828-10

 

Биполярный транзистор BD828-10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD828-10
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO202
 

 Аналог (замена) для BD828-10

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD828-10 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
 bd828.pdf pdf_icon

BD828-10

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD828DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD827Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Другие транзисторы... BD827 , BD827-10 , BD827-16 , BD827-25 , BD827-6 , BD827A , BD827B , BD828 , A1266 , BD828-16 , BD828-25 , BD828-6 , BD828A , BD828B , BD829 , BD829-10 , BD829-16 .

History: 2SC5999 | PTB20053 | 41501

 

 
Back to Top

 


 
.