BD828B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD828B

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO202

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BD828B datasheet

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BD828B

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD828 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD827 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

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