Справочник транзисторов. BD828B

 

Биполярный транзистор BD828B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD828B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO202
 

 Аналог (замена) для BD828B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD828B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
 bd828.pdf pdf_icon

BD828B

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD828DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD827Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top

 


 
.