BD830-10 Todos los transistores

 

BD830-10 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD830-10
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO202
 

 Búsqueda de reemplazo de BD830-10

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BD830-10 datasheet

 9.1. Size:50K  philips
 bd830.pdf pdf_icon

BD830-10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D067 BD830 PNP power transistor Product specification 1999 Apr 21 Supersedes data of 1998 May 29 Philips Semiconductors Product specification PNP power transistor BD830 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 emitter 2 collector, connected to metal part of APPLICATIONS mounti... See More ⇒

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
 bd830.pdf pdf_icon

BD830-10

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD830 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD829 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.... See More ⇒

Otros transistores... BD829 , BD829-10 , BD829-16 , BD829-25 , BD829-6 , BD829A , BD829B , BD830 , BD333 , BD830-16 , BD830-25 , BD830-6 , BD830A , BD830B , BD833 , BD834 , BD835 .

 

 
Back to Top

 


 
.