BD830B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD830B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO202

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BD830B datasheet

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BD830B

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D067 BD830 PNP power transistor Product specification 1999 Apr 21 Supersedes data of 1998 May 29 Philips Semiconductors Product specification PNP power transistor BD830 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 emitter 2 collector, connected to metal part of APPLICATIONS mounti

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
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BD830B

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD830 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD829 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

Otros transistores... BD829A, BD829B, BD830, BD830-10, BD830-16, BD830-25, BD830-6, BD830A, TIP41C, BD833, BD834, BD835, BD836, BD837, BD838, BD839, BD840