Биполярный транзистор BD830B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD830B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO202
BD830B Datasheet (PDF)
bd830.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D067BD830PNP power transistorProduct specification 1999 Apr 21Supersedes data of 1998 May 29Philips Semiconductors Product specificationPNP power transistor BD830FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter2 collector, connected to metal part ofAPPLICATIONS mounti
bd830.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD830DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD829Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BD772-GR | 2N2043
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050