BD840 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD840

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO202

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BD840 datasheet

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BD840

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD840 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD839 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

Otros transistores... BD830B, BD833, BD834, BD835, BD836, BD837, BD838, BD839, 2N3055, BD841, BD842, BD843, BD844, BD845, BD846, BD847, BD848