BD840 Todos los transistores

 

BD840 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD840
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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BD840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
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BD840

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD840DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -45V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD839Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

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