BD840. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD840

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD840

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD840 даташит

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
 bd840.pdf pdf_icon

BD840

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD840 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD839 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

Другие транзисторы: BD830B, BD833, BD834, BD835, BD836, BD837, BD838, BD839, 2N3055, BD841, BD842, BD843, BD844, BD845, BD846, BD847, BD848