BDB01D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDB01D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO92
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BDB01D datasheet
bdb01cre.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BDB01C/D One Watt Amplifier Transistors BDB01C,D NPN Silicon COLLECTOR 3 2 BASE 1 2 3 1 EMITTER CASE 29 05, STYLE 1 MAXIMUM RATINGS TO 92 (TO 226AE) Rating Symbol BDB01C BDB01D Unit Collector Emitter Voltage VCEO 80 100 Vdc Collector Base Voltage VCES 80 100 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Coll
Otros transistores... BDAP36 , BDAP54 , BDAP54A , BDAP54B , BDAP54C , BDAP55 , BDB01A , BDB01B , TIP122 , BDB02A , BDB02B , BDB02C , BDB02D , BDB03 , BDB04 , BDB05 , BDB06 .
History: BCR119 | BC253CA | BC254 | BCR116W | BC234 | 2N5189 | BC848AWT1
History: BCR119 | BC253CA | BC254 | BCR116W | BC234 | 2N5189 | BC848AWT1
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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