BDB01D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BDB01D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDB01D

BDB01D Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BDB01C/DOne Watt Amplifier TransistorsBDB01C,DNPN SiliconCOLLECTOR32BASE1231EMITTERCASE 2905, STYLE 1MAXIMUM RATINGSTO92 (TO226AE)Rating Symbol BDB01C BDB01D UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 80 100 VdcCollectorBase Voltage VCES 80 100 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcColl

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: MPS1613R

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: