BDB01D Todos los transistores

 

BDB01D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDB01D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO92

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BDB01D datasheet

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BDB01D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BDB01C/D One Watt Amplifier Transistors BDB01C,D NPN Silicon COLLECTOR 3 2 BASE 1 2 3 1 EMITTER CASE 29 05, STYLE 1 MAXIMUM RATINGS TO 92 (TO 226AE) Rating Symbol BDB01C BDB01D Unit Collector Emitter Voltage VCEO 80 100 Vdc Collector Base Voltage VCES 80 100 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Coll

Otros transistores... BDAP36 , BDAP54 , BDAP54A , BDAP54B , BDAP54C , BDAP55 , BDB01A , BDB01B , TIP122 , BDB02A , BDB02B , BDB02C , BDB02D , BDB03 , BDB04 , BDB05 , BDB06 .

History: BCR119 | BC253CA | BC254 | BCR116W | BC234 | 2N5189 | BC848AWT1

 

 

 


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Liste

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