BDB01D - описание и поиск аналогов

 

BDB01D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDB01D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BDB01D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDB01D даташит

 9.1. Size:132K  motorola
 bdb01cre.pdf pdf_icon

BDB01D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BDB01C/D One Watt Amplifier Transistors BDB01C,D NPN Silicon COLLECTOR 3 2 BASE 1 2 3 1 EMITTER CASE 29 05, STYLE 1 MAXIMUM RATINGS TO 92 (TO 226AE) Rating Symbol BDB01C BDB01D Unit Collector Emitter Voltage VCEO 80 100 Vdc Collector Base Voltage VCES 80 100 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Coll

Другие транзисторы: BDAP36, BDAP54, BDAP54A, BDAP54B, BDAP54C, BDAP55, BDB01A, BDB01B, TIP122, BDB02A, BDB02B, BDB02C, BDB02D, BDB03, BDB04, BDB05, BDB06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.