BDB02D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BDB02D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDB02D

BDB02D Datasheet (PDF)

9.1. Size:137K motorola
bdb02cre.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BDB02C/DOne Watt Amplifier TransistorsBDB02C,DPNP SiliconCOLLECTOR32BASE112EMITTER3MAXIMUM RATINGSRating Symbol BDB02C BDB02D UnitCASE 2905, STYLE 1TO92 (TO226AE)CollectorEmitter Voltage VCEO 80 100 VdcCollectorBase Voltage VCES 80 100 VdcEmitterBase Voltage VEBO

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 40837 | 2N6476 | KT837U | 2N544 | 2SB1378 | BCY56 | 3DD13003F3D

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050