Справочник транзисторов. BDB02D

 

Биполярный транзистор BDB02D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDB02D
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для BDB02D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDB02D Datasheet (PDF)

 9.1. Size:137K  motorola
 bdb02cre.pdf pdf_icon

BDB02D

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BDB02C/DOne Watt Amplifier TransistorsBDB02C,DPNP SiliconCOLLECTOR32BASE112EMITTER3MAXIMUM RATINGSRating Symbol BDB02C BDB02D UnitCASE 2905, STYLE 1TO92 (TO226AE)CollectorEmitter Voltage VCEO 80 100 VdcCollectorBase Voltage VCES 80 100 VdcEmitterBase Voltage VEBO

Другие транзисторы... BDAP54C , BDAP55 , BDB01A , BDB01B , BDB01D , BDB02A , BDB02B , BDB02C , 13009 , BDB03 , BDB04 , BDB05 , BDB06 , BDBO1C , BDC01A , BDC01B , BDC01C .

History: BD746 | D880C-G | GF146 | NSVBCP69T1G | TD13005D | 2SD127 | GE6060

 

 
Back to Top

 


 
.