BDS20SM Todos los transistores

 

BDS20SM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDS20SM

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 8 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: TO252

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BDS20SM datasheet

 0.1. Size:452K  semelab
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BDS20SM

SILICON EPIBASE NPN DARLINGTON TRANSISTOR BDS20SMD High DC Current Gain Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For General Purpose Amplifiers and Low Speed Switching Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 80V VCEO Collector Emitter Voltage 80V VE

Otros transistores... BDS16SM , BDS17 , BDS17SM , BDS18 , BDS18SM , BDS19 , BDS19SM , BDS20 , 2SC2240 , BDS21 , BDS21SM , BDS28A , BDS28ASM , BDS28B , BDS28BSM , BDS28C , BDS28CSM .

History: 2SB1183 | BDT56 | BSX48 | 2SB1186 | BDT41A | 2SA1338-5 | HA7540

 

 

 

 

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