Справочник транзисторов. BDS20SM

 

Биполярный транзистор BDS20SM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDS20SM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO252
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BDS20SM Datasheet (PDF)

 0.1. Size:452K  semelab
bds20smd.pdfpdf_icon

BDS20SM

SILICON EPIBASE NPN DARLINGTON TRANSISTOR BDS20SMD High DC Current Gain Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For General Purpose Amplifiers and Low Speed Switching Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 80V VCEO Collector Emitter Voltage 80V VE

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MMSS8050-L | KRC406 | 2N5034 | PBSS5240X | BC524B | 2SD26 | NA21ZG

 

 
Back to Top

 


 
.