BDV96 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDV96
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TOP3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDV96
BDV96 Datasheet (PDF)
bdv92 bdv94 bdv96.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BDV92/94/96DESCRIPTIONCollector Current -I = -10ACCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -45V(Min)- BDV92; -60V(Min)- BDV94CEO(SUS)-80V(Min)- BDV96Complement to Type BDV91/93/95Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output stages and generalamp
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2N1831 | 2N1640
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050