BDV96. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BDV96
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TOP3
Аналоги (замена) для BDV96
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDV96 даташит
bdv92 bdv94 bdv96.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BDV92/94/96 DESCRIPTION Collector Current -I = -10A C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -45V(Min)- BDV92; -60V(Min)- BDV94 CEO(SUS) -80V(Min)- BDV96 Complement to Type BDV91/93/95 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output stages and general amp
Другие транзисторы: BDV67B, BDV67C, BDV67D, BDV91, BDV92, BDV93, BDV94, BDV95, 2SC2240, BDW10, BDW10A, BDW12, BDW12A, BDW14, BDW14A, BDW16, BDW16A
History: BDT65AF | KTD1003A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet
