BDW12A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDW12A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 180 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de BDW12A
BDW12A Datasheet (PDF)
bdw12.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDW12DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh Current CapabilityWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2SC1703 | 2SC2670 | 2SB654A | D16K4 | DC5414 | SFT6284 | OC602
History: 2SC1703 | 2SC2670 | 2SB654A | D16K4 | DC5414 | SFT6284 | OC602



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06