BDW12A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDW12A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 180 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO3
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BDW12A datasheet
bdw12.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BDW12 DESCRIPTION With TO-3 Package High Current Capability Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a
Otros transistores... BDV92 , BDV93 , BDV94 , BDV95 , BDV96 , BDW10 , BDW10A , BDW12 , 2SD669 , BDW14 , BDW14A , BDW16 , BDW16A , BDW21 , BDW21A , BDW21B , BDW21C .
History: DTC301 | ZTX4401 | 2N622 | BC251B
History: DTC301 | ZTX4401 | 2N622 | BC251B
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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