BDW12A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW12A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDW12A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW12A даташит

 9.1. Size:179K  inchange semiconductor
 bdw12.pdf pdf_icon

BDW12A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BDW12 DESCRIPTION With TO-3 Package High Current Capability Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

Другие транзисторы: BDV92, BDV93, BDV94, BDV95, BDV96, BDW10, BDW10A, BDW12, 2SD669, BDW14, BDW14A, BDW16, BDW16A, BDW21, BDW21A, BDW21B, BDW21C